| Виды транзисторов и их поведение (21.02.2017). |
|
| 2017 - Февраль | |
| 21.02.2017 19:20 | |
Около полугода транзистор оставался несколько загадочным элементом с непредсказуемым поведением (при условии, что всякие стабилизаторы и регуляторы щелкались как семечки с точки зрения понимания). Кое-как осилив BD237 и IRFML8244TRPBF, использовал их в своих разработках. Но пришла нужда в использовании других типов транзисторов (высокомощных PNP). Это заставило пересмотреть концепцию, заложенную в голове диванными электрониками. Что было забито в голове: - стрелка в обозначении транзистора показывает направление тока коллектор-эмиттер (подтвердилось после жестокой путаницы); - если инвертировать напряжение на коллекторе-эмиттере - можно управлять базой инвертированным напряжением (не подтвердилось, совершенно другая формулировка: "если инвертировать напряжение на коллекторе-эмиттере - транзистор не поменяет структуру, войдет в инверсный активный режим - hFE упадет значительно, но ток базы не поменяет ни полярности, ни направления, ни номинала"); - в PNP-транзисторах ток течет от эмиттера к коллектору (подтвердилось после жестокой путаницы); - NPN- и PNP- транзисторы можно использовать при одинаковых параметрах внешней среды (прямая взаимозаменяемость - не подтвердилось); - и прочая противоречащая здравому смыслу хрень. Как подставить под сомнение концепцию: отформатировать ее и заполнить информацией заново. Но другими алгоритмами: - выяснилось, что в интернете огромное количество схем, в которых транзисторы отображены неправильно. Поэтому был выбран другой источник информации: научные журналы и схемы старых телевизоров "Рубин". В процессе выяснилось, что даже в журналах допущены ошибки - то есть ошибочность графического отображения транзисторов глобальна; - буквоедство показало, что для PNP-транзистора напряжение пишется так же, как и для NPN: Uкэ, а не Uэк (и это великая ошибка, т.к. ток, реально, течет от эмиттера к коллектору); - нашлась информация о двух противоположностях: электронах и дырках - непонимание которых и вносило путаницу со стрелочками. Не нужно понимать их, нужно просто выучить для каждого транзистора свою стрелку - и все; - практические тесты с чистого листа, с использованием стабилизированного источника питания и исключительно новых транзисторов; - и т.д. В итоге родилось четкое описание транзисторов, которые соответствуют реальности; а также необходимо и достаточно описывает разницу типов: - PNP и NPN - биполярные транзисторы, FET и MOSFET - полевые; - у биполярных ток базы велик, у полевых стремится к нулю. Что делает полевик идеальным выключателем (крутизна графика ID от VGS - открывается мгновенно) и кандидатом для использования в микросхемах с мизерным выходным током (открывается исключительно напряжением). Биполярные, наоборот, можно частично приоткрывать, ограничивая силу тока весьма точно; - коэффициенты hFE и h21э - одно и то же - отражают максимальный ток коллектор-эмиттер: ток базы, умноженный на коэффициент. Указывается минимальным (например, для BD237, при определенных обстоятельствах, hFE не заявленные 25, а все 100); - если соединить каскадно 2 транзистора общим коллектором, а эмиттер одного воткнуть в базу другого - получится пара Дарлингтона, у которой hFE возводится в квадрат. Каскад не имеет ограничения по количеству транзисторов (степени hFE) - но итоговый hFE ограничен 50000 (для большего надо мутить дополнительные приблуды); - существуют составные транзисторы, являющиеся парой Дарлингтона, парой Дарлингтона с диодом и т.д. - при этом их размеры ненамного больше обычных, а hFE велик (25 для BD237 за 13 рублей против 750 для BDX33C за 17 рублей - в России в Чип и Дип, и за 2.34 против 10.31 - на али); - биполярный транзистор, установленный в роли выключателя (активный режим), вызывает падение напряжения в цепи. На примере ИП 5В и нагрузки 2.2Ом: BD237 опустил напряжение на нагрузке до 2.4В. 1.39В упало между базой и коллектором, 0.8В между коллектором и эмиттером, куда остальные 0.21В делись - не замерял; - у биполярных транзисторов на выходе происходит суммирование тока базы-эмиттера и коллектора-эмиттера. Поэтому нагрузку выгоднее устанавливать после транзистора (в случае NPN); - токоограничивающий резистор на базу требуется для любого транзистора, подбирается индивидуально, исходя из особенностей транзистора и внешней среды. PNP-транзистор: - основной транзистор ранней эпохи СССР, т.к. NPN еще не изобрели; - управляется током базы (эмиттер-база); - ток течет от эмиттера к коллектору; - стрелочка на изображении на принципиальной схеме указывает абстрактное направление от "P" к "N" - и направление протекания тока. То есть, стрелка от эмиттера к базе является четким показателем, что транзистор PNP; - если база болтается в воздухе, или имеется положительный потенциал база-эмиттер - транзистор закрыт. Поэтому никак не удавалось запустить PNP-транзистор: он был исправен, но закрыт. Если же база заземлена (или на минусе источника питания) - транзистор открывается (течет ток эмиттер-база). Неясно, почему PNP-транзистор закрыт, когда ножка базы физически разорвана с цепью и болтается в воздухе. NPN-транзистор: - основной транзистор поздней эпохи СССР и в настоящее время (среди биполярных транзисторов); - управляется током базы (база-эмиттер); - ток течет от коллектора к эмиттеру; - стрелочка указывает абстрактное направление от "P" к "N" - и направление протекания тока. То есть, стрелка от базы к эмиттеру является четким показателем, что транзистор NPN; - если по базе не течет ток база-эмиттер, транзистор закрыт; - NPN имеет преимущества перед PNP в удобности использования: больше логичности и простоты понимания. Полевой транзистор (FET, N-канал): - управляется напряжением G (Gate, Затвор). Ток GS "отсутствует", стремится к нулю; - ток течет от D (Drain, Сток) к S (Source, Исток) против запирающего диода на принципиальной схеме транзистора. В случае инвертирования тока диод не сможет его сдерживать - и транзистор не будет закрыт; - MOSFET - более мощная по току DS разновидность FET; - эти транзисторы есть с N-каналом, есть с P-каналом. Аналогично биполярным транзисторам, отличаются инвертированным поведением относительно друг друга. N-канал, как и NPN, более удобен в использовании: управляется положительным напряжением. С пониманием данных вещей происходит быстрый выбор при покупке, установка купленного транзистора в схему без ошибок. С набиванием шишек эти знания еще больше впечатываются в память, заменяя старые знания соответствующими реальному миру. (добавлено 24.02.2017) Уточнил некоторые неточности в статье. Транзистор открыт в инверсном активном режиме, но его усилительные свойства слабые - поэтому данный способ корректнее рассматривать как извращение, когда деваться некуда. Тем более, надо в этот режим еще въехать правильно (так до конца и не въехал), а Википедия (как крайне редко бывает) - дезориентировала. Почему PNP не открыт с базой, болтающейся в воздухе. Вспомнилось правило при работе с микросхемами: все входы должны быть подключены, вместо болтания в воздухе должны заземляться. Транзистор - тоже микросхема - и на нее распространяется то же правило; иначе поведение микросхемы непредсказуемо. На основании нарастающих проблем с PNP-транзисторами является выгодным решение отказа от их использования навсегда, используя более логичные и простые в понимании NPN. Недаром в кассетнице радиоэлементов осталась тонна залежей PNP-транзисторов: их никто не применил за все 60 лет с их производства (и это модели с током 5-20А!). Однако они могут сослужить последнюю службу. В интернете пишут, что невозможно использовать PNP-транзистор там, где нужен NPN. С точки зрения одного транзистора это верно (инвертировать напряжение в цепи дорогого стоит). Но есть теоретический способ превращения PNP в NPN (который надо проверить), используя пару Дарлингтона. Первый транзистор PNP управляется наличием или отсутствием напряжения на базе - его логика инвертирована: - есть напряжение - ток идет, закрыт; - отсутствует - ток не идет, открыт. Второй транзистор PNP инвертирует значение первого: - если ток от эмиттера первого к базе второго не идет (закрыт) - открывается (ток от эмиттера второго к базе второго не идет); - если ток от эмиттера первого к базе второго идет (открыт) - запирается (ток от эмиттера второго к базе второго идет). (добавлено 25.02.2017) Отдельно о литературе и других источниках, чтобы проникнуться степенью путаницы в транзисторных вопросах, касательно PNP, в реальности: - Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Часть 1 / Москва: Мир, 1986 г. На 89 странице написано для PNP, что ток течет от эмиттера к коллектору; - Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. 3-е издание / США: Издательство Кембриджского университета, 2015 г (на английском). На странице 72 то же утверждение; - Айсберг Е.Д. Транзистор?.. Это очень просто! / Москва: Энергия, 1964 г. На странице 32 то же утверждение. Казалось бы, все предельно ясно. Но теперь пойдем в обратную сторону: - на всех сайтах интернет-магазинов и книгах для PNP пишется "Uкэ", а не "Uэк". Получается, Uкэ должно быть указано отрицательным - но это нигде не наблюдается; - вдвоем тестировали транзистор PNP SS8550. Подключили его к LCR-T3 для перепроверки даташита - ноги буквами отмечены правильно. При подключении К к плюсу питания, Э - к общему проводу, Б - к общему проводу через резистор 250Ом: транзистор открылся, hFE был выше минимально заявленного (прямой активный режим). При подключении К к общему проводу, Э - к плюсу питания, Б - к общему проводу (а затем к плюсу питания): транзистор открылся в одном из положений Б (забыл, в каком) с hFE ~=2 (признак инверсного активного режима налицо, а также крайне низкого КПД при использовании инверсного режима); - Ревич И.В. Занимательная электроника / Санкт-Петербург: БВХ-Петербург, 2015 г. На странице 98 начинает рассматривать, как и другие авторы, именно NPN-транзисторы, ввиду их простоты. А про PNP написано всего пару строк, без каких-либо примеров и пояснений. Причем далее автор о них не упоминает вообще (кроме графического обозначения на 140 и 565 страницах), судя по полнотекстовому поиску books.google. То есть, с PNP: - теория говорит одно, а практика - с точностью до наоборот; - современные книги не делают акцент на транзисторах PNP и начинают обучение именно с NPN (или не упоминают PNP вовсе). Из практики остается открыт вопрос: нулевой ли был ток через базу при тестировании SS8550 (добавлено 26.02.2017) Разница между активным режимом и режимом насыщения в Википедии указана двумя неравенствами - здесь возможна ошибка. Например, для NPN: "Uэ < Uб < Uк" - нормальный активный, "Uэ < Uб > Uк" - насыщение. Однако это противоречит: - определению режима насыщения (полного раскрытия транзистора): когда увеличение Iбэ не приводит к увеличению Iкэ (постоянное линейное падение hFE?); - неравенство Uб > Uк возможно только при hFE < 1 при одном общем источнике питания. (добавлено 27.02.2017) О повторном тесте PNP. Взял 2Т808А (отрыл-таки). Я не сказал никому, что это NPN-транзистор - и технология NPN, вслепую, снова показала стабильный результат. hFE превышал минимальный в 4-5 раз; в инверсном активном режиме hFE был в 7 раз меньше, чем в прямом активном. Далее был взят 1Т806Б, PNP. И снова начались проблемы: - на этот раз он показал реальную теорию из книг по прямому активному режиму: эмиттер - плюс, коллектор и база - общий провод. Ток составил 1.27А, hFE=635, ток эмиттер-база 0.02А. Минимальный hFE данного транзистора равен 100 - превышает в 6.35 раза; - а вот при инверсном активном режиме начал наблюдаться полтергейст: постоянно тек ток коллектор-эмиттер 0.35А, независимо от положения базы (плюс/общий/никуда). И это так и не удалось исправить. Решил материалы статьи не править до конца - но вопиющие ошибки-таки убрал. Чтобы неопределенность технологии PNP была очевидной: как она приводит к неправильным выводам и потерям времени. Скорее всего, каскад из PNP-транзисторов не сработает как NPN. А еще обнаружился сюрприз. Как обычно бывает, в определение насыщенного режима биполярного транзистора закралась маленькая неточность: не "когда увеличение Iбэ не приводит к увеличению Iкэ (постоянное линейное падение hFE)", а "когда изменение Iбэ не приводит к изменению Iкэ (hFE отсутствует, Iкэ максимален, падение напряжения на транзисторе минимально)". То есть: либо биполярный транзистор работает как ключ, распахнувшись полностью (нет усиления в режиме насыщения); либо работает как усилитель, потребляя часть напряжения источника питания (усиление в активном режиме). Вот тут полевые транзисторы и выручают: общее падение напряжения на транзисторе в активном режиме и режиме насыщения небольшое. Мало того, у полевого в режиме насыщения растет hFE. (добавлено 03.03.2017) Выяснился еще сложный момент: ток база-эмиттер рассчитывается очень интересным образом. Ток эмиттер-база 0.02А, полученный на 1Т806Б, был везением или особенностью PNP: когда резистор 250Ом привел при 5В к четкому току 0.02А. С NPN вышло иначе: BD237 при 261Ом получил ток не желаемые ~0.02А, а 0.0026А. При условии, что через нагрузку пошло 0.56А - сначала случилась истерика, т.к. это означает hFE=215 при минимально заявленном 25 - то есть, в 8.6 раза больше. Потом вспомнились прошлые опыты, где hFE был в 7 раз выше нормы, - стало полегче. Но остался вопрос: как правильно рассчитывать резистор для базы. Моделирование в Multisim показало две неожиданные вещи: - программа врет с номиналами вольтметров и амперметров на 40-266%. Например, ток базы для BD237 она рассчитала 6.824мА; - порядок моих практических замеров напряжения токоограничивающего резистора и расчет тока - верен: единицы миллиампер, а не десятки. А также, что увеличение тока базы уменьшает напряжение на транзисторе - больше нагрузке достается. То есть, открытый транзистор в режиме насыщения будет иметь на себе минимальное падение напряжения. В моей схеме с BD237 напряжение на коллекторе и базе одинаковое (один источник питания). В случае разных источников с разным напряжением, полагается, ток базы будет рассчитываться с коэффициентом частного этих напряжений. Айсберг Евгений Давыдович! Транзистор - это просто?! Тогда ядерный реактор - как 2 пальца об асфальт... (добавлено 05.03.2017) Определения "общий коллектор" (ОК) и "общий эмиттер" (ОЭ) тоже сильно доставили (применяются к схеме, а не транзистору отдельному). У нормального человека выражение "общий" ассоциируется с чем-то, что принадлежит двум объектам одновременно. Например, в схеме Дарлингтона 2 транзистора соединены коллекторами вместе - общий коллектор, логично. Но, оказывается, и отдельный транзистор может породить схему с ОК. Взрыв мозга отразился головной болью - но разобрался-таки: - представить участок схемы, в которой есть транзистор, как отдельную схему; - обозначить в этой схеме вход (несколько контактов) и выход (несколько контактов). Могут быть дополнительные контакты, вроде дополнительного питания, - но они не в счет; - отрезок между входом и выходом представить как провод (исключение из поля зрения сторонних элементов). Таких проводов несколько; - транзистор затронет только плюсовой или минусовой провод, разобьет его на 2 части: один провод он разорвет своим телом, а в другой просто воткнется третьей ногой, не разрывая его; - та нога, что не разорвала провод и есть общая - отсюда и название этого участка схемы: "схема включения транзистора с общим коллектором/эмиттером/базой". Пример.  Упрощаем: - убираем сопротивления, вольтметр и амперметры как лишние элементы; - плюсовой вход источника разветвляется на 2 входа: для базы и для коллектора. База рвет один из входов, ток течет от базы к эмиттеру. Коллектор рвет второй вход, ток течет от коллектора к эмиттеру. Минусовой вход источника идет без разрывов и становится минусом для резистора-нагрузки. Казалось бы, тупик; - однако минусовой провод вообще никакого отношения к транзистору не имеет - его и рассматривать не нужно. Нагрузку же можно подключить и к транзистору, и в обход него: к силовому плюсу источника (подключен вольтметр, например) или к силовому выходу транзистора (эмиттеру). То есть, схема становится такой, как на рисунке выше:  . То есть у схемы 2 входа и 2 выхода - в рамках плюсового силового провода - и схема является ОК, т.к. коллектор не разрывает нижний провод и подключен к нему.(добавлено 06.03.2017) Очень интересный опыт с токоограничивающим резистором для базы: - замена резистора с 261Ом на 35Ом привела к лучшему открытию транзистора (меньшее падение напряжения на транзисторе). Однако ток базы так и не дошел до отметки 0.02А (мультиметр опять показывал 0); - оказалось, существует не только прямая зависимость тока коллектор-эмиттер от тока базы, но и обратная: максимальный ток базы зависит от тока коллектор-эмиттер. И транзистору с моими 35Ом не требовался ток 0.02А, чтобы нормально открыться в активном режиме; - до тех пор, пока не вывел силовым переменным резистором-нагрузкой ток коллектор-эмиттер до 2А, ток базы отказывался подниматься выше 0.03А. Но 0.03А мне не подходит, нужно 0.02А. Замена резистора на 51Ом результата не дала. А вот 250Ом дали четкий результат 0.02А; - итак, теория расчета резистора базы по p-n-переходу - неверна: учитывается именно напряжение источника питания базы. И токоограничивающий резистор рассчитывается не просто по формуле, а исходя и из тока коллектор-эмиттер. Если в моем транзисторе ток коллектор-эмиттер никогда не станет 2А - токоограничивающий резистор 250Ом мне вообще не нужен - и можно поставить 35Ом для лучшего открытия транзистора; - это говорит также о том, что если ток коллектор-эмиттер мал или hFE высок - токоограничивающий резистор для базы вообще не нужен: ток коллектор-эмиттер сам будет выполнять данную функцию. Тест с удалением 35Ом показал успешный результат - но как только довел до тока 5А - транзистор сгорел мгновенно (не перегрев). Точнее, он стал глючить. Еще интересный опыт. Кабель IDE для жестких дисков успешно проводит по каждой своей жиле 0.8А. С учетом, что разъемы IDE дешевле прочих разъемов типа DB в пересчете на пины - может стать хорошим решением там, где нужно сэкономить. Например, удлинитель DB25F-DB25M стоит аж 250 рублей - и это на али; в Москве - дороже раза в 2-3. (добавлено 07.03.2017) Пара Дарлингтона на основе двух транзисторов PNP работает как составной транзистор PNP: логика та же, только много больший hFE. А вот соединение в каскад PNP и NPN транзистора дало неожиданный результат: получился NPN с высоким hFE. Оказалось, это комплиментарная пара Дарлингтона или каскад Шиклаи. Получить же из PNP+NPN транзистор PNP с высоким hFE не получилось. (добавлено 08.03.2017) Еще раз подтверждается, что сервисы вроде Ответов нужно использовать лишь как вектор к правильным знаниям. Задал месяц назад вопрос о качестве наушников/микрофонов после ремонта (пайки на коленке) - все мнения были такими, что больше месяца не держатся. Задал вопрос сейчас - все пишут, что служат вечно. Мой личный опыт - дольше месяца не держатся. Значит, либо дело в используемых методиках и материалах при пайке, либо кто-то очень сильно врет. (добавлено 09.03.2017) Интересно ценообразование. Начиная примерно с 10А становится выгоднее смотреть полевые транзисторы: преимущества перед биполярными за меньшую цену. Например, AUIRFU4104 40В/119А (сто девятнадцать) идет в районе 40руб. Выгоднее, при той же цене, чем реле (на примере TRIH-24VDC-SD-1AH-R): внутреннее сопротивление 5.5мОм<50мОм, управляется напряжением, а не током (0.001А<0.22А), время переключения (2мкс<0.1с), нет звука переключения, можно переключать с частотой 500кГц. (добавлено 24.03.2017) Полевые транзисторы имеют параметр "непрерывный ток". На примере IRLB3813PbF (30В/260А): непрерывный ток 260А, а импульсный аж под 1000А. Но сечение ноги транзистора в корпусе TO-220AB ничтожно: не более 2мм2 - он не может проводить через себя больше двузнака по определению. Данный феномен пока не разгадан, но в даташите видна добавка "Body diode". То есть: сам транзистор может данный ток проводить, а корпус, в котором он расположен, - нет. У полевых транзисторов есть еще одна особенность: чем больше нагрев - тем больше внутреннее сопротивление в открытом состоянии. То есть, уменьшение силы тока при собственном нагреве. Это спасет от КЗ схему, но не спасет сам транзистор, т.к. сработает по принципу Полевые же транзисторы на "200-1000А" удобно использовать там, где нужно крайне минимальное внутреннее сопротивление: куда ни выключатель, ни биполярный транзистор не поместить. (добавлено 25.03.2017) Судя по графикам зависимости R от T (например, IRF520N), сопротивление полевиков увеличивается с ростом температуры в 5-7 раз. То есть, он не как предохранитель срабатывает, а как термистор - и если сгорит, то спустя продолжительное время. Термистором будет при условии, что нагрузка миллиомная - тогда он будет регулировать ток ощутимо. (добавлено 19.04.2017) Еще о полевике AUIRFU4104. Имеет 3 заявленных непрерывных сил тока: Silicon limited - 119А, при температуре 100 градусов - 84А, Package limited 42А. С такими странными параметрами, ясное дело, считать наименьший. Ножка корпуса, по ПУЭ, способна провести около 26А - и при этом не влазит в стандартные дырки на макетных платах. Практический тест высокоамперным током не проводился - но ТТХ такого полевика более приближены к реальности, чем другие. (добавлено 05.05.2017) Очень критично: затвор полевика должен быть всегда или на минусе, или на плюсе - но никак не в разрыве или в воздухе. В моем случае транзистор просто открывался; несмотря на то на затвор не приложено положительное напряжение. (добавлено 31.07.2017) Если измерить сопротивление коллектор-эмиттер мультиметром - оно будет больше 2МОм. Однако при подаче напряжения сопротивление транзистора в закрытом состоянии уменьшается. Были подключены последовательно транзистор NPN 2Т808А и резистор 20МОм. Uкэ в закрытом состоянии было 0.232В. Примерно считая, что при питании 4.98В на резисторе падало 4В, имеем сопротивление транзистора 1.16МОм. Если получится - измерю величину более точно. (добавлено 01.08.2017) Промежуточные расчеты искажают показания, нужно прямое измерение на нагрузке. Плевать, сколько Uкэ - важно, сколько падает именно на нагрузке. Тест с КТ837Ж, с нагрузкой 10МОм, источником 4.98В показал результат 8.9мВ, с 2Т808А - 15.9мВ. Токоограничивающий резистор влияет на данную величину незначительно (с 3.6Ом на 200Ом - с 13.3мВ до 15.9мВ). Но крайне сильно влияют руки и немного - плохо пропаянные контакты. Руки при приближении к транзистору или проводам мультиметра Ресанта DT830B искажают его показания в несколько раз. Или же реально меняют сопротивление транзистора в закрытом состоянии. Пока стоит считать, что для четкого сопротивления закрытого транзистора его лучше экранировать или заземлять корпус. Итоговые номиналы: КТ837Ж - 5585МОм, 2Т808А - 3122МОм. Остался вопрос зависимости сопротивления закрытого транзистора от напряжения источника питания. (добавлено 03.11.2017) Стоит описать логику использования "токоограничивающего" резистора для полевиков. Токоограничивающий - для биполярников, заставляет их приоткрываться, а также не сгорать от большого тока. В полевиках он играет роль как делитель напряжения, причем крайне неочевидного и компромиссного (на примере AUIRF1010Z): - казалось бы, если на затвор подавать напряжение меньше VGS - все будет в порядке. Однако существует вероятность всплеска в момент подачи питания - и резистор выполнит роль делителя напряжения. Как следствие - затвор не пробьет на исток и транзистор не умрет (полевики очень чувствительные к любому перенапряжению). В этом случае номинал резистора выбирается малым; - транзистор, как и диод, например, - имеет емкость внутри себя; аж две - входная CISS, выходная COSS. В случае работы на высокой частоте наступает перевозбуждение транзистора. Последствия не совсем ясны, но они похожи на увеличение напряжения затвор-исток (эффект Миллера). Чтобы предотвратить это, создают ФНЧ на основе емкости транзистора и резистора затвора; - существует вероятность превышения тока заряда затвора, т.к. емкость представляет собой конденсатор без каких-либо токоограничивающих препятствий. Тут резистор выполняет уже токоограничивающую функцию. Расчеты, исходя из логики использования: - при использовании напряжения в разы меньше Vgs резистор требуется. Превышение тока заряда затвора убийственно - значит, логическое решение: резистор необходим всегда; - большая входная емкость - меньший номинал резистора для затвора. Применяются номиналы самые различные, но к наиболее часто используемым относится диапазон 10-300Ом. Однако практика очень часто разнится с теорией (как, например, было с варисторами): - практическое использование транзисторов AUIRFU4104 в параллельном соединении без резистора не привело к их уничтожению. Значит, не каждый полевик умрет при первой же подаче напряжения от превышения тока заряда затвора, т.к. сам имеет внутреннее сопротивление затвора. Нужно смотреть наличие величины RG, в данном случае это 6.8Ом - и можно сэкономить на резисторе и месте на печатной плате; - при малой частоте переключения перевозбуждения не произойдет - перенапряжения так же не будет и без резистора. То есть, в нашем случае, дополнительного сопротивления к 6.8Ом не потребуется; - электроники отмечают, что эффективность резистора снижается при отдалении его от транзистора. Поэтому окончательное решение по резистору полевика: - ориентироваться на наличие RG в ТТХ полевика и частоту переключения при решении вопроса, нужен ли полевик; - если да, вычислять номинал в диапазоне [10;300]Ом, исходя из входной емкости CISS; - если да, припаивать резистор максимально близко к корпусу. Вплоть до того, что откусить 3/4 ножки и впаять резистор вместо ножки. (добавлено 26.02.2019) Инверсный режим лучше не использовать. Не всегда закрывается транзистор в данном режиме, от модели к модели. Причины неизвестны. При этом все модели в обычном режиме работают как надо. (добавлено 23.04.2023) С токоограничивающим резистором на базу NPN-транзистора вышло все намного веселей. |
|
| Обновлено ( 29.01.2024 17:58 ) |