Расположение NPN-транзистора после нагрузки - раскрыло полный потенциал его открытия: падение напряжения при работе с инвертором сигнала - открылся аж до значения падения напряжения в единицы микровольтов (прибор APPA 505 за 60к+ не может ошибаться в режиме mV). Но что это за открытие? Штатный ли режим работы?

Хватит макетирования - время пиз... философствовать (на примере NPN и N-канала). Без пол-литра не читать.

Специально пересмотрел несколько учебных материалов (в т.ч. хабр, ТПУ - в очередной раз доказывается, что в/о не даёт правильных знаний: максимум, теоретических, - нечётко совпадающих с реальностью (если вообще совпадающих), в конечном итоге перегружающих мозг человека):

- нет самого главного: не ток база-эмиттер управляет током коллектор-эмиттер (акцент на токах), а именно h_FE - является ключевым звеном и регулятором протекающих процессов. Не хватает тока база-эмиттер для пропускания необходимого тока коллектор-эмиттер - хрен тебе, а не высокий протекающий ток коллектор-эмиттер (и именно текущий h_FE, именно в данный момент времени - всегда говорит тебе "хрен"). Нагрузка ограничивает ток коллектор-эмиттер (т.к. включена последовательно с транзистором) - h_FE опять командует (в обратную сторону): "хрен тебе, а не полное открытие транзистора: ограничиваю ток базы" (и никакой токоограничивающий резистор на базу не потребуется). Складывается чёткое впечатление: без ограничений - h_FE всегда стремится к 0 (т.е., <1), с ограничениями - становится выше указанного в даташитах;

- нет описания различия между присутствием нагрузки до транзистора или после неё. Между тем, от этого зависит, будет ли работать транзистор именно в ключевом режиме. Если стоит до нагрузки - и режим усиления ограничен, и ключевого режима никогда не будет: ограниченный ток нагрузки, равный току коллектор-эмиттер, - ограничивает ток базы (даже если база подключена напрямую к питанию). И тут уже h_FE стремиться к 0 не может: ему тупо негде энергию взять для такого фокуса (9 лет использовал данный режим как безопасный, порой увеличивая напряжение питания для того, чтобы нагрузке хватило, - а вон как вышло). А вот если транзистор стоит после всей нагрузки (т.е., припаян к земле) - то токоограничивающий резистор жизненно необходим для любого режима: сгорит, если база подключена напрямую к питанию (h_FE стремится к 0 как бешеный ток через базу - конец, превышается V_BE как неверно выбранный резистор - конец);

- в основном, описываются 3 режима (нет барьерного и/или инверсного). Между тем, барьерный - не просто препятствует обратному току из эмиттера в коллектор, но и содержит в себе усилительный режим - регулируя резистором к базе протекаемый ток коллектор-эмиттер (при этом пишут, что резистор не особо нужен). Так опять: нужен или не нужен? Если он стоит до нагрузки - нагрузка ограничит ток базы, и тут уже ответ лежит в плоскости номинала h_FE и номинала сопротивления нагрузки. Если он стоит после нагрузки - то же самое.

Между тем, транзисторы горят бессимптомно - что порождает очередные непонятки при работе с ними. Бешеный ток через базу - ну, сгорит проводник тонкий базы где-то внутри транзистора (полностью или недоконтактом). И потом удивляешься: транзистор задел щупом - на мгновение возник бешеный ток базы - транзистор после этого стал всегда испорченным приоткрытым. При этом, LCR-T3 может не показать неисправность. И ошибочно думаешь на другой элемент, потому что текущий: "Показывает транзистор - транзистор, показывает h_FE - h_FE, показывает работает - работает. То же самое, мать твою!".

- открыл BD237 в ключевом режиме: при токе базы 1.5мА - до падения напряжения на нём до единиц микровольтов (мультиметр показал нули). Уменьшил сопротивление нагрузки с 4.7кОм до 730Ом - получил падение ~4мВ (резистор на базе не менялся). Именно по макетированию, понятно: падение напряжения на транзисторе, как V_CE, - увеличивается при увеличении силы тока. Но что говорит даташит? "V_CE = 2V, I_C = 150mA, h_FE = 40". Ну и какие 2В, если у меня I_C = 6.8мА, и V_CE = 4мВ? Значит, V_CE меняется от тока коллектор-эмиттер "больше-больше" и нелинейно - не станет 88мВ при теоретических 150мА;

- ну, пусть больше I_C = I_CE (ему больше некуда течь) - больше V_CE. Тогда получается, что меньше h_FE: ток через базу ограничивается только постоянным резистором (неизменен, т.к. подключен после нагрузки) - и получается V_CE больше, I_CE = I_нагр меньше, I_BE постоянно - h_FE меньше;

- казалось бы, это подтверждается в схеме транзисторного инвертора сигнала на практике: второй транзистор получает ток в базу не более 1мА - а h_FE выше даташитного 150мА в 3.5 раза: при токе коллектор-эмиттер аж 134мА - 134. Но, напротив: достаточно отпустить резистор базы в малые величины - и транзистор заработает как идеальный ключ (максимальный I_C, минимальное V_CE), но при этом h_FE станет <1.